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半导体晶圆划片废水处理案例|半导体晶圆划片废水处理方法

工程背景图 本大型项目属于长半圆各地某国家的级半导体材料领域四园,行业大部分种植8英尺和12英尺晶圆,东风日产量实现2万片。不断地产能增加,已有的废气解决平台已尚未足够坏保要,继续购买专用汽车升级成改建。大型项目总投入资金约1300万元,制定解决意识为300吨/日,于未来三年时间内建于投产。 污废水 有效成分及从何而来 该公司企业晶圆片区步骤生成的废渣包括构成之下因素: 切割工作步骤中应用的研磨设备液残余物,主要含量为二氧化反应硅颗粒状、表皮可溶性剂和巧妙增长剂 晶圆从表面洗有的含氟废气,氟正离子浓度值在80-120mg/L 几瓶天价属阴阳离子如铜、镍等,源于于切割器方法磨花 充分高沸点溶剂使用量,收录异丙醇、二甲苯等 pH值起伏明显,往往在4-10相互之间 操作方法注意事项 对于废水解决性能指标,规划所采用"化学预解决+什么是生化解决+角度解决"的结构制作工艺: 调准池 :平均水的质量容量,软件设置pH百度环境监测器和手动加量整体 混凝土放置 :加药PAC和PAM,避开浮窗物和氢氧化铁成分 气浮單元 :用于溶气气浮生产工艺进这一步去掉微小颗粒状和环节生产物 血生化补救 :应用MBR膜生物技术现象器,废水含量形成在8000-10000mg/L 淬硬层外理 :活性酶类炭过滤+反加入工序,加强组织领导出水出水标准 污泥干化净化处理 :板框压滤设备出现脱水,淤泥含水分率降下来60%以上 进行处理功效 系統平稳使用后,满水后环境质量是完全以达到《自动化工业园水造成的工业废气排卸原则原则》(GB39731-2020)格外排卸原则规定值需求: COD<30mg/L 氟阴离子<5mg/L 浮悬物<10mg/L 天价属相关的指标均低过卫生防护距离 大型项目每次可限制水污渍用水量下跌量约COD 32吨、氟化物8.5吨,回收水率满足75%上面,为单位减少水电费其他支出约1二十万元/年。

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