某半导体行业打造企业的因晶圆难以清理繁琐流程带来含氨焦化废水，水流量200吨/天。焦化废海里除氧化还原电位外还包含的氟化物和进样器血本属，净化处理難度大。本县排放量规定必须氧化还原电位＜5mg/L，氟化物＜3mg/L。 废渣组成及因素 晶圆洗掉生产废水（主耍主要来源）：含挥发酚200-300mg/L，氟化物50-80mg/L 刻蚀道工序废污水：含微量分析铜、镍等血本属，pH值冲击大 CMP机磨污废水 ：含硅粒子及挥发酚 治理新工艺注意事项 主要包括"物理发展+膜拆分+折点氯化"结构加工： 预外理 ：添加CaCl2除氟，调控pH在7.5-8. 反渗透膜机系统 ：去掉0.01μm上颗粒状物 反渗透膜到浓缩造成 ：将氧化还原电位精提至1000mg/L以下 折点氯化 ：明确控制氯加药量，将氧化还原电位应用为离氮气 化合物交易 ：安全保障高价属合格 结果是感觉 挥发酚平衡＜3mg/L，氟化物＜1mg/L 巨资属浓度不超过测量限 水回收率达75% 污水呈现量缩减40%